[发明专利]用于生产沉淀二氧化硅材料的高电解质添加剂

摘要

沉淀二氧化硅包括多孔的二氧化硅颗粒，其具有小于6m²/g的对于直径大于500A的所有孔的累积表面积(如由压汞法测量的)和大于约85％的百分数氯化十六烷基吡啶鎓(％CPC)相容性。沉淀二氧化硅产品特别好地适合于使用在含有氯化十六烷基吡啶鎓的牙粉中，氯化十六烷基吡啶鎓不会以有意义的水平附着到低表面积的二氧化硅产品且因而保留了可利用的抗微生物作用。提供了用于制造二氧化硅产品的工艺，该工艺包括在不同的工艺步骤期间引入硫酸钠粉末以便增强上述的与CPC的相容性。

主权项

1.一种制造研磨二氧化硅材料的方法，其中所述方法包括下面的顺序步骤：a)在高剪切混合条件下，任选地在以相比于第一量的硅酸盐的干重以重量对重量计5％到25％的量存在的至少一种电解质存在下，使所述第一量的硅酸盐与第一量的酸一起反应，以形成第一二氧化硅材料；以及b)在所述第一二氧化硅材料的存在下，任选地在以相比于第二量的硅酸盐的干重以重量对重量计5％到25％的量存在的至少一种电解质存在下，使所述第二量的硅酸盐与第二量的酸一起反应，以在所述第一二氧化硅材料的表面上形成密相的涂层，由此形成涂覆二氧化硅的二氧化硅材料；其中所述至少一种电解质存在于所述步骤“a”或“b”的任一步中或存在于两个步骤的过程中，且其中任选地在高剪切混合条件下实施所述步骤“b”。