[发明专利]高散热性基片的制造方法有效
| 申请号： | 200780048700.6 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101573786A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 奥列格·科农丘克;法布里斯·勒泰特;罗伯特·朗格 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及复合结构体的制造方法，所述复合结构体的散热性大于具有相同尺寸的大块单晶硅结构体的散热性，所述结构体包含支持基片、顶层以及所述支持基片与所述顶层之间的氧化物层，所述方法包括如下步骤：a)提供由结晶材料制成的顶层，b)将所述顶层与由具有高散热性的多晶材料制成的支持基片结合，由此在结合界面处形成氧化物层，从而获得所述结构体，其特征在于，所述方法还包括以预定温度和预定的持续时间、在惰性或还原性氛围中对所述结构体进行热处理，从而通过分解至少部分所述氧化物层来增加散热性。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 性基片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有高散热性的复合结构体的制造方法，所述结构体包含支持基片、顶层以及所述支持基片与所述顶层之间的氧化物层，所述方法包括以下步骤：a)提供由结晶材料制成的顶层，b)将所述顶层与由多晶材料制成的支持基片结合，所述支持基片的散热性大于具有相同尺寸的大块单晶硅基片的散热性，由此在结合界面处形成氧化物层，从而获得所述结构体，其特征在于，所述方法还包括以预定温度和预定的持续时间、在惰性或还原性氛围中对所述结构体进行热处理，从而通过分解至少部分所述氧化物层来增加散热性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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