[发明专利]混合光学与电子束光刻制造层级的共对准的高原子量结构及方法

摘要

一种方法，将集成电路芯片的制造层级的第一组特征对准电子束对准目标并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层级的第二组特征对准光学对准目标并使用光学光刻来形成第二组特征，电子束对准目标包括形成于基板中的高原子量层，光学对准目标形成于基板中，光学对准目标本身对准电子束对准目标。还提供一种电子束对准目标的形成方法及结构。

主权项

1.一种混合光学与电子束光刻制造层级的共对准的方法，包括：在基板中形成电子束对准目标，所述电子束对准目标包括在沟槽的底部中的电子背散射层，及在所述电子背散射层顶上且填充所述沟槽的帽盖层；在形成所述电子束对准目标之后，在所述基板中形成光学对准目标，相关于所述基板中所述电子束对准目标的位置，所述光学对准目标位于所述基板中的预定位置；在所述基板上形成抗蚀剂层；将光掩模对准所述光学对准目标或所述电子束对准目标，所述光掩模具有透光及不透光区域的第一图案，所述第一图案代表集成电路的制造层级的第一组特征；将所述抗蚀剂层通过所述光掩模而暴露于光化辐射，以在所述抗蚀剂层中形成选择性曝光区域，所述不透光区域实质上阻挡所述光化辐射，且所述透光区域实质上透射所述光化辐射；相关于所述电子束对准目标的所述位置而设置电子束的起始位置；将所述抗蚀剂层暴露于第二图案的所述电子束，以在所述抗蚀剂层中形成电子束曝光区域，所述第二图案代表所述集成电路的所述制造层级的第二组特征；以及显影所述抗蚀剂层，以转移所述第一及第二图案至所述抗蚀剂层中的抗蚀剂图案。