[发明专利]PN结及MOS电容器混合减低表面场晶体管有效
| 申请号： | 200780049209.5 | 申请日： | 2007-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101573800A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·莱比格尔;加里·多尔尼 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种高电压半导体装置，例如RESURF晶体管，其具有包括减低的导通状态电阻在内的改善的性质。所述装置包括：半导体衬底；提供于所述衬底中的源极区域及漏极区域；其中所述源极区域与所述漏极区域彼此横向间隔开；及位于所述衬底中所述源极区域与所述漏极区域之间的漂移区域。所述漂移区域包括具有延伸于所述源极区域与所述漏极区域之间的至少两个间隔沟槽式电容器的结构；且进一步包括具有至少第一导电率类型的第一区域、第二导电率类型的第二区域及所述第一导电率类型的第三区域的堆叠，其中所述堆叠在所述源极区域与所述漏极区域之间且在所述至少第一与第二沟槽式电容器之间延伸并电连接到所述第一及第二沟槽式电容器。当所述装置处于导通状态时，电流穿过所述第二导电率类型的所述第二区域在所述源极与漏极区域之间流动；且当所述装置处于关断/阻断状态时，所述第二导电率区域分四路耗尽到所述堆叠的所述第一及第三区域中且耗尽到所述第一及第二沟槽式电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | pn mos 电容器 混合 减低 表面 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其包含：半导体衬底；提供于所述衬底中的源极区域及漏极区域；其中所述源极区域与所述漏极区域彼此横向间隔开；位于所述衬底中所述源极区域与所述漏极区域之间的漂移区域；其中所述漂移区域包括具有延伸于所述源极区域与所述漏极区域之间的至少两个间隔沟槽式电容器的结构；且进一步包括具有至少第一导电率类型的第一区域、第二导电率类型的第二区域及所述第一导电率类型的第三区域的堆叠，其中所述堆叠在所述源极区域与所述漏极区域之间且在所述至少第一与第二沟槽式电容器之间延伸并电连接到所述第一及第二沟槽式电容器；其中，当所述装置处于导通状态时，电流穿过所述第二导电率类型的所述第二区域在所述源极与漏极区域之间流动；且当所述装置处于关断/阻断状态时，所述第二导电率区域由来自所述堆叠的所述第一及第三区域以及来自所述第一及第二沟槽式电容器的四个单独电场耗尽。
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