[发明专利]用于在镀覆滚筒中从疏质子溶剂电沉积铝的电解质无效
| 申请号： | 200780049444.2 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101573476A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | H·德弗里斯;M·黑特尔 | 申请（专利权）人： | 阿鲁米纳表面技术有限及两合公司 |
| 主分类号： | C25D3/44 | 分类号： | C25D3/44;C07F5/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 德国蒙塔鲍尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于从疏质子溶剂电沉积铝的电解质，该电解质在有机溶剂中含有式N(R1)4X·(m-n-o)Al(C2H5)3·nAlR23·oAlR33(I)的化合物，其中R1是C1至C4烷基，X是F、Cl或Br，m等于1至3，优选1.7至2.3，n等于0.0至1.5，优选0.0至0.6，o等于0.0至1.5，优选0.0至0.6，R2和R3是C1或C3至C6烷基，其中R2不同于R3。本发明还涉及制备该电解质的方法、涂覆方法和涂覆的材料部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 镀覆 滚筒 质子 溶剂 沉积 电解质 | ||
【主权项】：
1.用于从疏质子溶剂电沉积铝的电解质，该电解质在有机溶剂中含有具有下式的化合物：N(R1)4X·[(m-n-o)Al(C2H5)3·nAlR23·oAlR33]， (I)其中R1是C1至C4烷基，X是F、Cl或Br，m等于1至3，优选1.7至2.3，n等于0.0至1.5，优选0.0至0.6，o等于0.0至1.5，优选0.0至0.6，R2、R3是C1或C3至C6烷基，其中R2不同于R3。
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