[发明专利]用于IBIIIAVIA族化合物层的掺杂技术无效
| 申请号： | 200780050271.6 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101589472A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | Y·玛图斯;布林特·M·巴索;S·阿克苏 | 申请（专利权）人： | 索罗能源公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过使金属前体层与掺杂剂结构反应形成用于太阳能电池的掺杂IBIIIAVIA族吸收层的方法。在基底上淀积包括诸如Cu、In、Ga的IB族和IIIA族材料的金属前体层。在金属前体层上形成掺杂剂结构，其中该掺杂剂结构包括一层或多层诸如Se层的VIA族材料层的与一层或多层诸如Na的掺杂剂材料层的叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ibiiiavia 化合物 掺杂 技术 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于太阳能电池的吸收层的多层结构，包括：包括衬底层的基底；形成在所述基底上的实质上为金属的前体层，其中所述实质上为金属的前体层包括至少一种IB族和IIIA族材料；以及形成在所述实质上为金属的前体层上的掺杂剂结构，其中所述掺杂剂结构包括IA族材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索罗能源公司，未经索罗能源公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780050271.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
