[发明专利]制备区域规整聚合物的方法有效

专利信息
申请号: 200780050649.2 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101595154A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: T·哈法特;B·法尔克;L·麦克洛克;张卫民;M·希尼 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01B1/12;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈 宙
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及制备区域规整聚合物、尤其是具有高区域规整度和限定分子量的头-尾(HT)聚-(3-取代的)噻吩或硒吩的方法,涉及通过本方法制备的新型聚合物,涉及该新型聚合物在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光电和传感器器件在内的光学、电光学或电子器件中作为半导电或电荷传输材料的用途,并涉及包含该新型聚合物的FET和其它半导电组件或材料。
搜索关键词: 制备 区域 规整 聚合物 方法
【主权项】:
1.制备区域规整的聚(3-取代的噻吩)或聚(3-取代的硒吩)的方法,其通过a)使各自在2-和5-位具有离去基团的3-取代的噻吩或3-取代的硒吩(″离析物″)与镁或反应性锌或有机镁卤化物反应,b)使Ni(0)催化剂和二齿配体与具有一个或多个离去基团的芳族单体或低聚物(″活化剂″)反应,c)使得自步骤a)和b)的反应混合物彼此接触,和任选地搅动和/或加热所得的混合物,从而启动聚合反应,d)任选地添加终止聚合反应的试剂,和任选地从反应混合物回收所述聚合物。
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