[发明专利]在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术无效
| 申请号： | 200780050832.2 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101595548A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 提摩太·J·米勒;艾德蒙德·J·温德;哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛;理查德·J·赫尔特 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术。在根据本发明一特定例示实施例中，此技术可实现为等离子式离子注入的装置及方法，例如，射频等离子掺杂(RF-PLAD)。此装置及方法可包括：遮蔽环(244)，其与目标晶片(120)定位于同一平面上并环绕目标晶片(120)的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔(246)的面积的孔定义装置；法拉第杯(140)，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备(142)，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可包括为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及或椭圆形中的至少一种。孔定义装置可包括硅、碳化硅、碳以及或石墨中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 离子 注入 使用 改良 遮蔽 技术 | ||
【主权项】：
1、一种等离子式离子注入设备，所述设备包括：遮蔽环，与目标晶片定位于同一平面上并环绕所述目标晶片的周围，其中，所述遮蔽环包括孔定义装置，以定义出至少一个孔的面积；法拉第杯，定位于所述至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备，连接所述法拉第杯，以计算离子剂量率。
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