[发明专利]钴合金的无电沉积有效
| 申请号： | 200780051739.3 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101616747A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 阿尔及尔达斯·瓦斯凯利斯;阿尔冬娜·亚格米妮;伊娜·斯坦科维;尤金尼厄斯·诺尔库斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B05D1/18 | 分类号： | B05D1/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在铜表面上无电沉积钴合金层的系统和方法包括具有低pH值特征的溶液。例如，此溶液可包括钴(II)盐、包括至少两个胺基的络合剂和被配置为将该pH值调整到低于7.0的pH值调节剂以及还原剂。在一些实施方式中，该钴合金被配置为促进集成电路中该铜表面和电介质之间的粘结以及铜扩散特性。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种溶液，包含：钴盐；络合剂，被配置为使用该钴盐在铜上沉积钴层；以及pH值调节剂，被配置为将该溶液的pH值调整到低于7.0。
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