[发明专利]使用等离子体加工衬底的方法和设备

摘要

本发明提供了用于控制电子损失于上电极的方法和布置，包括用于将上电极进一步负偏置以使得带电物质被捕获在等离子体室内较长的时间而由此增大等离子体密度的技术和设备。将上电极上的感应RF信号整流，因此将上电极进一步负偏置。如果需要，整流RF信号还可以被放大，因此更进一步负驱动上电极。

主权项

1.一种在电容耦合型等离子体加工系统中加工基底的方法，所述电容耦合型等离子体加工系统具有等离子体加工室以及至少上电极和下电极，在等离子体加工过程中，所述基底设在所述下电极上，所述方法包括：向所述下电极提供至少第一RF信号，所述第一RF信号具有第一RF频率，所述第一RF信号与所述等离子体处理室中的等离子体耦合，由此在所述上电极上感生出感应RF信号；对所述感应RF信号进行整流，以产生整流RF信号，使得所述整流RF信号更正偏置而非负偏置；以及在向所述上电极提供所述整流RF信号的同时，加工所述基底。