[发明专利]固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200780052071.4 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN101627475A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 舛冈富士雄;中村广记 申请(专利权)人: 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H01L31/10;H04N5/335
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法,提供一种减少读出沟道的面积,且受光部(光电二极管)的表面积相对于一像素的面积的比例较大的CCD固体摄像元件。提供一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;以及与第1导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在第2导电型光电转换区域与第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。
搜索关键词: 固体 摄像 元件 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在上述第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在上述第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;与上述第1导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔而形成在上述第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在上述传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在上述第2导电型光电转换区域与上述第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本优尼山帝斯电子股份有限公司,未经日本优尼山帝斯电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780052071.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top