[发明专利]在引线环中形成弯曲的方法有效
| 申请号： | 200780052491.2 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101652844A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | I·W·秦;R·奥利达 | 申请（专利权）人： | 库利克和索夫工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在引线环中形成弯曲(200d)的方法。所述方法包括步骤：(1)在所述引线环中在所述引线环的预定部分处形成第一弯曲(200d1)；(2)在步骤(1)之后放出一段引线；以及(3)在步骤(2)之后在所述引线环中在所述预定部分处形成第二弯曲(200d2)。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 环中 形成 弯曲 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在引线环中形成弯曲的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在所述引线环中在所述引线环的预定部分处形成第一弯曲；(2)在步骤(1)之后放出一段引线；以及(3)在步骤(2)之后在所述引线环中在所述预定部分处形成第二弯曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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