[发明专利]In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体及物理成膜用靶有效
| 申请号： | 200780052922.5 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101663250A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(Sn)，含有由Ga2In6Sn2O16或(Ga，In)2O3表示的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | in ga zn sn 氧化物 烧结 物理 成膜用靶 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，其特征在于，含有铟元素(In)、镓元素(G a)、锌元素(Zn)及锡元素(Sn)，含有由Ga2In6Sn2O16或(Ga，In)2O3表示的化合物。
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