[发明专利]生产多晶硅的装置和方法以及多晶硅的锭和片有效
| 申请号： | 200780053018.6 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101680110A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | B·温纳特;M·尤里施;S·艾什勒 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 描述了生产晶体硅，特别是多晶硅的方法和装置，其中形成硅原料的熔体，接着以定向的取向使硅熔体凝固。以这种方式在所述熔体上方提供呈气体、液体或固体形式的相或物质，以致硅熔体中、从而凝固的晶体硅中选自氧、碳和氮的外来原子的浓度是可控的；和/或硅熔体上方气相中气体组分的分压是可调和/或可控的，所述气体组分选自氧气、碳气和氮气以及含有至少一种选自氧、碳和氮的元素的气体物质。根据本发明可有效地抑制和预防影响太阳能电池的电性能的杂质化合物沉淀或夹杂物，特别是碳化硅的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 装置 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.生产晶体硅的方法，它包括如下步骤：·形成硅原料的熔体，·进行所述硅熔体的定向凝固，其中a)在所述熔体上方提供呈气体、液体或固体形式的材料的相，以致控制硅熔体中、从而凝固的晶体硅中选自氧、碳和氮的外来原子的浓度；和/或b)调节和/或控制硅熔体上方气相中气体组分的分压，所述气体组分选自氧气、碳气和氮气以及含有至少一种选自氧、碳和氮的元素的气体物质。
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