[发明专利]具有气相沉积膜的塑料成形品及生产该成形品的方法有效
| 申请号： | 200780053214.3 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101678642A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 伊藤卓郎;森拓己;中尾浩;山崎和彦 | 申请（专利权）人： | 东洋制罐株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B65D23/08;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种塑料成形品，其包括塑料基板和通过等离子体CVD法在所述塑料基板表面上形成的气相沉积膜。所述气相沉积膜包括：具有2.5至13的元素比C/Si和0.5以下的元素比O/M的有机金属气相沉积层；和厚度为40至180nm的烃气相沉积层，该烃气相沉积层在FT-IR测量中在3200至2600cm-1的波数范围内具有归属于CH、CH2和CH3的峰，且CH2的比率和CH3的比率分别为35％以下和40％以上。在膜沉积期间，使塑料成形品的基材免受氧化劣化、热劣化等。因此，塑料成形品能够提供改进的氧/水阻隔性、附着性和对于由水导致的膜分离的防止性。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 沉积 塑料 成形 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种塑料成形品，其包括塑料基板和通过等离子体CVD法在所述塑料基板表面上形成的气相沉积膜，其中，所述气相沉积膜包括：在所述塑料基板侧面上形成并具有2.5至13的元素比C/M(M为金属元素)和不大于0.5的元素比O/M的有机金属气相沉积层，和在所述有机金属气相沉积层上形成的烃气相沉积层；和所述烃气相沉积层具有厚度在40至180nm的范围内，通过FT-IR测量，在3200至2600cm-1的波数区域内显示由CH、CH2和CH3引起的峰，并基于上述峰计算的CH、CH2和CH3的总和具有不大于35％的CH2比率和不小于40％的CH3比率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东洋制罐株式会社，未经东洋制罐株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780053214.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
