[发明专利]半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780100082.5 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101765910A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金野吉人;山田豊 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;浦柏明 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法。能够从在半导体衬底(半导体晶片)上形成的多个半导体元件(半导体芯片)中，高效地并且可靠地选出无缺陷(合格品)的半导体元件。本发明的半导体元件的选取方法包括：在半导体衬底的有效区域内配设多个半导体元件的工序；在上述半导体衬底上，在上述有效区域外配设基准半导体元件的工序；在上述多个半导体元件以及上述基准半导体元件上形成凸块的工序；对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测试的工序；以上述基准半导体元件为基点，生成配置图的工序；根据上述配置图，从上述多个半导体元件中摘出在上述测试中被判断为合格品的半导体元件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 选取 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的选取方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的有效区域内配设多个半导体元件的工序；在上述半导体衬底上的上述有效区域外配设基准半导体元件的工序；在上述多个半导体元件以及上述基准半导体元件上形成凸块的工序；对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测试的工序；以上述基准半导体元件为基点，生成配置图的工序；根据上述配置图，从上述多个半导体元件中摘出在上述测试中被判断为合格品的半导体元件的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
