[发明专利]电光设备及其制备方法无效
| 申请号： | 200780100177.7 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101842736A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭强·帕特里克·罗;齐逊·达里尔·王;纬·伊普·洛;于明彬;宋军峰 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 公开了一种电光设备。该电光设备包括：绝缘层，沉积于该绝缘层上方并掺杂有第一传导类型的掺杂原子的第一半导体区，沉积于该绝缘层上方并掺杂有第二传导类型的掺杂原子的第二半导体区，以及沉积于该绝缘层上方且位于该第一半导体区和第二半导体区之间的电光作用区。该电光作用区包括：掺杂有第一传导类型掺杂原子的第一半导体部分作用区，掺杂有第二传导类型掺杂原子的第二半导体部分作用区，以及位于该第一半导体部分作用区和第二半导体部分作用区之间的绝缘结构，其中，该绝缘结构垂直于该绝缘层的表面延伸，使得该第一半导体部分作用区与第二半导体部分作用区在垂直于该绝缘层的该表面的方向上不存在重叠。还公开了一种电光设备的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 设备 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电光设备，包括：绝缘层；沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第一传导类型掺杂原子的第一半导体区；沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第二传导类型掺杂原子的第二半导体区；沉积于所述绝缘层上方且位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的电光作用区，所述电光作用区包括：掺杂有所述第一传导类型掺杂原子的第一半导体部分作用区；掺杂有所述第二传导类型掺杂原子的第二半导体部分作用区；位于所述第一半导体部分作用区和所述第二半导体部分作用区之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构垂直于所述绝缘层的表面延伸，使得所述第一半导体部分作用区和所述第二半导体部分作用区在垂直于所述绝缘层表面的方向上不存在重叠。
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