[发明专利]半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 200780100178.1 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101836295A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 塔-霍·洛;会安-萨恩·阮 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/203;H01L21/20;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 公开了一种制备半导体装置的方法。该方法包括在介电层内形成至少一个沟槽、从而将半导体基片的一部分暴露，至少在该至少一个沟槽的底部形成硅-锗缓冲层，在该硅-锗缓冲层上形成锗种子层且在该锗种子层上形成锗层。还公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体基片、置于该半导体基片之上的介电层、在该介电层且将该半导体基片的一部分暴露的至少一个沟槽、至少置于该至少一个沟槽的底部之上的硅-锗缓冲层，置于该硅-锗缓冲层之上的锗种子层以及置于该锗种子层之上的锗层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体装置的方法，该方法包括：在介电层上形成至少一个沟槽，从而暴露半导体基片的一部分；至少在所述至少一个沟槽的底部上形成硅-锗缓冲层；在所述硅-锗缓冲层上形成锗种子层；以及在所述锗种子层上形成锗层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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