[发明专利]用于半导体器件的具有改善的填隙特性的有机硅烷聚合物及使用其的涂层组合物有效
| 申请号： | 200780100521.2 | 申请日： | 2007-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101796101A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 禹昌秀;成现芋;裵镇希;鱼东善;金钟涉 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/04 | 分类号： | C08G77/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 具有 改善 填隙 特性 有机 硅烷 聚合物 使用 涂层 组合 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体器件中填隙的聚合物，其中所述聚合物通过一种或多种化合物的水解物的缩聚反应而制备，所述化合物选自由下述化学式1、2、3和4的化合物所组成的组：[RO]3Si-[CH2]n-Si[OR]3 (1)其中n为0至2，且每个R为C1-C6烷基；[RO]3Si-[CH2]nX (2)其中X为C6-C12芳基，n为由0至2，且R为C1-C6烷基；[RO]3Si-R’ (3)其中R及R’独立地为C1-C6烷基；以及[RO]3Si-H (4)其中R为C1-C6烷基。
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