[发明专利]具有颜色转换结构的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200780101041.8 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101849295A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王立;江风益;汤英文;刘卫华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件(200)，包括衬底(202)和由衬底(202)支撑的半导体多层结构(204)，其中半导体多层结构(204)设置为发射第一颜色光。衬底(202)或在衬底(202)与半导体多层结构(204)之间的反射层(212)不透明。器件(200)还包括在半导体多层结构(204)上形成的厚度很均匀的平坦颜色转换层(206)。颜色转换层(206)包括一种颜色转换材料，至少能将一部分发射光转换成第二颜色光。颜色转换层(206)可充分固化以耐受后续的晶片切割。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 颜色 转换 结构 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，该器件包括：衬底；由所述衬底支撑的半导体多层结构；其中所述半导体多层结构配置成发射第一颜色光；以及其中所述衬底或在所述衬底与所述多层结构之间的层基本不透明，因此有利于由所述多层结构发射出的光的吸收或反射；以及在所述半导体多层结构上形成的平坦的颜色转换层；其中所述颜色转换层包括可将至少一部分发射光转换成第二颜色光的颜色转换材料；其中所述颜色转换层具有一定厚度；以及其中所述颜色转换层可被充分固化以承受后续的晶片切割。
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