[发明专利]MRAM测试无效
| 申请号： | 200780101320.4 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101842843A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 赛义德·M·阿拉姆;马蒂厄·布雷兹-温宁;约瑟夫·J·纳哈斯;肯尼斯·P·帕普沃思;马克·德埃烈亚;贾森·雅内斯基 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于测试具有多个单元(12、14、16、18、20、22、24、26、28)的跳变MRAM(10)的方法，该方法包括：在多个单元中选择要测试的单元(12)；将第一状态写入单元(12)；读取单元(12)，以验证第一状态；根据邻居的预定序列来连续跳变该单元的第一邻居(14、16、18或20)的状态和该单元的第二邻居(14、16、18或20)的状态，其中该单元的第一邻居与该单元相邻并且该单元的第二邻居与该单元相邻，并且其中邻居的预定序列指示连续跳变第一邻居的状态和第二邻居的状态的次序，并且在连续跳变之后，读取该单元以确定是否出现从第一状态到第二状态的改变。 | ||
| 搜索关键词： | mram 测试 | ||
【主权项】：
一种用于测试具有多个单元的跳变MRAM的方法，所述方法包括：在所述多个单元中选择要测试的单元；将第一状态写入所述单元；读取所述单元，以验证所述第一状态；根据邻居的预定序列来连续跳变所述单元的第一邻居的状态和所述单元的第二邻居的状态，其中所述单元的第一邻居与所述单元相邻并且所述单元的第二邻居与所述单元相邻，并且其中所述邻居的预定序列指示连续跳变所述第一邻居的状态和所述第二邻居的状态的次序；在连续跳变的步骤之后，读取所述单元，以确定是否出现从所述第一状态到所述第二状态的改变。
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