[发明专利]制造经处理表面的方法和真空等离子体源有效
| 申请号： | 200780101402.9 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101842868A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆;B·韦德里格;D·库拉波夫 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐厚才;李连涛 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 当借助于阳极(9)与阴极(7)之间的真空等离子体放电处理工件或基底表面并由此由于这种处理固体(19)在阳极表面(21)上形成并沉积时，该固体的DC比阻抗高于阳极材料的DC比阻抗，至少部分阳极表面通过在那里建立屏蔽等离子体(25)而屏蔽于这种沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 处理 表面 方法 真空 等离子体 | ||
【主权项】：
制造经处理表面的方法，包括·提供在真空容器内的加工空间、在其中的具有金属阳极表面的阳极和阴极，所述金属具有第一DC比阻抗；·在所述加工空间中建立处于所需压力或处于所需分压的气体或气体混合物的气氛；·通过在所述阳极与所述阴极之间施加包含DC分量的供电信号，在所述加工空间中产生等离子体放电；·借助于所述等离子体放电处理表面，由此在所述加工空间中产生具有第二DC比电阻抗的固体，所述第二DC比电阻抗高于所述第一DC比阻抗；其特征在于，通过在所述阳极表面的至少一个区域上产生明确的屏蔽等离子体使所述至少一个区域屏蔽所述固体，所述明确的屏蔽等离子体的范围基本上限于所述至少一个区域。
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