[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810000211.X | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101295646A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 沈贵潢 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L21/308;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法。可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层图案和栅电极层图案。可以在包括栅电极层图案的半导体衬底上形成通过其暴露栅电极层图案之间的区域的一部分的光刻胶图案。可以在光刻胶图案上形成钝化膜，所述钝化膜具有比所述半导体衬底慢的蚀刻速率。通过使用钝化膜和光刻胶图案作为蚀刻掩模，利用蚀刻工艺可以在半导体衬底中形成第一沟槽。在其中形成有所述第一沟槽的半导体衬底上可以实施离子注入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成栅极层图案；在包括所述栅极层图案的所述半导体衬底上形成光刻胶图案；在所述光刻胶图案上形成钝化膜，所述钝化膜具有比所述半导体衬底慢的蚀刻速率；使用所述钝化膜和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，利用蚀刻工艺在所述半导体衬底中形成第一沟槽；和在所述第一沟槽中实施离子注入工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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