[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810000349.X | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101241965A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 浅井诚;山崎史郎;小泽隆弘;生川满久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极形成方法，是在已被研磨加工的由导电性III族氮化物系化合物半导体构成的半导体基片的被研磨面上形成电极的方法，该方法的特征在于：前述半导体基片由n型的AlxGa1-xN构成，其中，0≤x≤1，包括蚀刻工序，在前述被研磨面上形成电极的电极形成工序之前，在该蚀刻工序中对前述被研磨面进行干蚀刻，蚀刻深度在大于等于0.1μm小于等于15μm的范围内。
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