[发明专利]一种多槽结构静电感应器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200810000645.X | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101355101A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李海蓉;李思渊;刘肃;唐莹;李海霞 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法，涉及半导体领域。现有技术中存在栅－源(阴)极电压(VGS(K))和伏－安特性(I－V特性)的统一问题，即VGS(K)过高，I－V特性不能正常显现。本发明通过使用L5、L6、L7光刻版，用分步刻槽法在硅衬底片上刻蚀出栅电极坑、台面槽和隔断槽，将VGS(K)提高到几十伏到百多伏，且I－V特性正常显现。本发明很好地解决了栅－源(阴)极电压和伏－安特性的统一问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 静电感应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多槽结构静电感应器件及其制备方法，包括上层的n+源区、中层的n-高阻层和n-高阻区、下层的低阻层硅衬底片，在n-高阻区有栅体，其特征为硅衬底上表面开有栅电极坑、台面槽、隔断槽，在扩硼p++区下面有一层浓硼p+区，其中栅电极坑深入扩硼p++区，在栅电极坑的一侧为台面槽，台面槽深入浓硼p+区，在栅电极坑的另一侧为隔断槽，隔断槽深度大于浓硼p+区。
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