[发明专利]记忆卡的结构与其方法无效
| 申请号： | 200810000793.1 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101231709A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;余俊辉;林志伟;周昭男 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种记忆卡结构，包含一上表面具有晶粒容纳凹槽之基底、一通孔结构及形成于基底之布线。一第一晶粒配置于晶粒容纳凹槽。一第一介电层形成于第一晶粒与基底之上。一第一重布层(re－distribution layer，RDL)形成于第一介电层上，其中第一重布层系耦合至第一晶粒与布线。一第二介电层形成于第一重布层上。一第二晶粒配置于第二介电层之上。一第三介电层形成于第二介电层与第二晶粒上。一第二重布层形成于第三介电层上，其中第二重布层系耦合至第二晶粒与第一重布层。一第四介电层形成于第二重布层上。一第三晶粒形成于第四介电层上并耦合至第二重布层。一第五介电层形成于第三晶粒周围，并由一塑胶盖罩住第一、第二及第三晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 结构 与其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种记忆卡结构，其特征在于：所述记忆卡结构包含：一基底具有一晶粒容纳凹槽位于该基底之上表面、一通孔结构及一形成于该基底之布线；一第一晶粒配置于该晶粒容纳凹槽之内；一第一介电层形成于该第一晶粒与该基底之上；一第一重布层形成于该第一介电层之上，其中该第一重布层系耦合至该第一晶粒与该布线；一第二介电层形成于该第一重布层；一第二晶粒配置于该第二介电层；一第三介电层形成于该第二介电层与该第二晶粒之上；一第二重布层形成于该第三介电层之上，其中该第二重布层系耦合至该第二晶粒与该第一重布层；一第四介电层形成于该第二重布层之上；一第三晶粒形成于该第四介电层之上并耦合至该第二重布层；一第五介电层形成于该第三晶粒之周围；及一塑胶盖罩住该第一、第二及第三晶粒。
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