[发明专利]光掩模对位曝光方法及光掩模组件无效
| 申请号： | 200810001619.9 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101477318A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 黄正邦;萧智梅 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;G03F1/14;G03F1/00;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光掩模对位曝光方法及光掩模组件。该方法包含利用第一光掩模的第一图案区曝光基板的光致抗蚀剂层，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第二曝光区；利用第二光掩模的第三图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第三曝光区。第一曝光区位于第二曝光区与第三曝光区之间。本发明还披露一种光掩模组件。本发明可提高光掩模对位准确度，并减少接合不均现象，亦可以提高工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 对位 曝光 方法 模组 | ||
【主权项】：
1、一种光掩模对位曝光方法，包含：利用第一光掩模的第一图案区对于基板的光致抗蚀剂层进行曝光，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成第二曝光区；以及利用该第二光掩模的第三图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成第三曝光区，其中，该第一曝光区位于该第二曝光区与该第三曝光区之间。
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