[发明专利]操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法

摘要

本发明公开了一种操作存储单元的方法，该方法通过施加一正电压于栅极，而该正电压足以造成从栅极至电荷储存层的空穴发生隧穿。本方法应用的一存储单元包含一半导体层，而该半导体层具有至少二源极/漏极区域位于该半导体层表面的下方，并被一沟道区域分离。该存储单元也具有一下绝缘层位于该沟道区域的上方；一电荷储存层位于该下绝缘层的上方；一上绝缘多层结构位于该电荷储存层的上方。而该上绝缘多层结构包含一下介电层以及一氮化物层位于该下介电层的上方，以及该存储单元具有一栅极位于该上绝缘多层结构的上方。

主权项

1.一种擦除存储单元的方法，其特征在于，该方法包含：提供一存储单元，而该存储单元包含：一半导体层；一下绝缘层位于该半导体层的上方；一电荷储存层位于该下绝缘层的上方；一上绝缘多层结构位于该电荷储存层的上方，其中该上绝缘多层结构包含一下介电层以及一上氮化物层位于该下介电层的上方；以及一栅极位于该上绝缘多层结构的上方；以及对该栅极施加一正电压，其中，该正电压满足下列条件之一：1)擦除该存储单元时，该正电压造成由该栅极朝向该电荷储存层的空穴发生隧穿；或者2)编程该存储单元时，该正电压造成由该半导体层朝向该电荷储存层的电子发生隧穿；或者3)读取该存储单元时，该正电压用来感测一电流，以及决定该存储单元状态。