[发明专利]排气单元,排气方法,和具有排气单元的半导体制造设备无效
申请号: | 200810001916.3 | 申请日: | 2008-01-03 |
公开(公告)号: | CN101241837A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 安康镐;金玧定;姜锡勋;李载荣;崔载兴;黄正性 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;C23C16/44 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本申请涉及排气单元,排气方法,和具有排气单元的半导体制造设备。提供了一种排气单元,该排气单元能够防止由于大气压力变化引起工艺室内的大的压力波动。该排气单元包括主排气管和作为部分旁路的辅排气管。翼片位于主排气管和辅排气管之间的下游开口处,并且控制从辅排气管流至主排气管的旁通气体的量。翼片的第一板和第二板枢轴地联接至在下游开口附近的主排气管,第一板与流过主排气管的气体相碰撞,第二板部分阻塞从辅排气管流回至主排气管的旁通气体。当气体通过主排气管路和辅排气管排出时,翼片被动地控制辅排气管由于大气压力波动而打开的量。 | ||
搜索关键词: | 排气 单元 方法 具有 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于调节工艺室中的压力的排气单元,该排气单元包括:主排气管,该主排气管连接至所述工艺室,并且包括限定在其侧壁中的第二开口和第一开口中的至少其中之一;至少一个辅排气管,该辅排气管的一端连接至所述第一开口,并且另一端连接至所述第一开口下游的第二开口,以允许流过所述主排气管的一部分气体通过所述第一开口从所述主排气管分叉,并且通过所述第二开口再次进入所述主排气管;和调节构件,该调节构件构造成调节所述第二开口的打开比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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