[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 200810001968.0 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101252078A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 尾崎一人 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/1368;G03F7/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕;马少东 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够减少压送处理液用泵的故障以及设置在循环路径上的过滤器的筛眼堵塞，并能够防止薄膜再次附着在基板上。将从喷淋喷嘴(11、12)供给到基板(W)上并对处理膜进行溶解从而含有薄膜的处理液回收之后，将此处理液输送到离心分离机(41)。在离心分离机(41)，将薄膜分离并排出到处理液外。将分离出薄膜后的处理液从喷淋喷嘴(11、12)再次供给到基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其利用处理液使以图案状形成在基板上的溶解膜溶解，从而从基板上除去形成在溶解膜上的薄膜，其特征在于，包括：处理液供给单元，其用于向基板供给所述处理液；处理液回收单元，其用于回收由所述处理液供给单元供给到基板上而对所述处理膜进行溶解从而含有所述薄膜的处理液；分离单元，其从由所述处理液回收单元回收的处理液中将所述薄膜分离并排出到处理液外，将通过所述分离单元而分离并排出薄膜之后的处理液，再次向基板供给。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
