[发明专利]具有亚光刻宽度的端面的半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810002049.5 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101221979A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·A·巴特;T·W·戴尔;权五正;J·A·曼德尔曼;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在增强性能的MOSFET的半导体衬底上提供多个平行的具有亚光刻宽度的端面化V型槽的结构和方法。使用自对准的自组装材料来构图多个平行的亚光刻线。通过使用在半导体表面上产生晶体端面的各向异性刻蚀，形成多个平行邻接的具有亚光刻槽宽的V型槽。由于V型槽的亚光刻宽度以及随之而来的垂直剖面变化的减小，在为MOSFET提供增强的迁移率的同时，MOSFET的宽度没有受限于后续光刻步骤的聚焦深度或者是BOX层上半导体层的厚度。而且，由于每个端面的狭窄宽度，MOSFET具有良定义的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 光刻 宽度 端面 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括位于半导体衬底内的多个平行邻接的具有晶体端面的V型槽。
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