[发明专利]磁畴数据存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810002213.2 | 申请日： | 2008-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN101217181A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 林志庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;H01F10/32;H01F41/14;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;冯敏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和/或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即使在第一磁层的弯曲区域中，磁畴壁也可被移动。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁畴数据存储装置，包括：包括多个磁畴的第一磁层，每个所述磁畴具有磁化方向；位于所述第一磁层下表面上的第二磁层，所述第二磁层由软磁材料形成。
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