[发明专利]半导体存储器、读出放大器电路和存储器单元读取方法无效

专利信息
申请号: 200810002257.5 申请日: 2008-01-08
公开(公告)号: CN101221807A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 北川真;大涉 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C7/06;G11C7/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器器件包括:存储器单元、读出线以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路。读出放大器电路包括差动读出放大器、上拉部分、读选通晶体管以及阈值校正部分。
搜索关键词: 半导体 存储器 读出 放大器 电路 单元 读取 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器器件,包括:存储器单元;读出线;以及经由所述读出线连接到所述存储器单元的读出放大器电路;其中,所述读出放大器电路包括差动读出放大器,该差动读出放大器具有第一和第二差动输入,而且将参考电压供应给其第二差动输入,上拉部分,适合于把所述第一差动输入上拉至恒定电压,读选通晶体管,被连接在所述读出线和所述第一差动输入之间,而且,适合于在响应于单元电流、所述读出线的电位下降到低于初始电压的情况下导通,以及阈值校正部分,适合于通过接通或者断开给定晶体管的二极管连接,来生成从所述初始电压校正的电压,所述给定晶体管的阈值电压对所述读出线的电位的影响将被消除,而且,该阈值校正部分还适合于把校正后的电压施加到所述读选通晶体管的控制端。
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