[发明专利]不挥发性半导体存储装置

摘要

在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列101内的存储器单元中存储的数据，设置具有两个不同的已知电阻值的两个参照单元(例如数据“0”和数据“1”)(917)、(918)，将选择单元(107)与数据“0”的参照单元(917)的电流差和选择单元(107)与数据“1”的参照单元918的(电流差)进行比较。通过将与具有与选择单元(107)相同的寄生电流，并且已知具有数据“0”/数据“1”的参照单元(917)、(918)的电流进行比较，能够抑制寄生电流的影响来判别数据。

主权项

1.一种不挥发性半导体存储装置，包括：交叉点单元阵列、在第1方向上延伸的多条字线、在与所述第1方向不同的第2方向上延伸的多条位线、从所述多条字线中选择选择字线的第1解码器电路、从所述多条位线中选择选择位线的第2解码器电路、生成第1参照信号的第1参照信号生成电路、生成与所述第1参照信号不同的第2参照信号的第2参照信号生成电路、和读出电路，其特征在于：所述交叉点单元阵列包括多个单元，所述多个单元中的每一个插在所述多条字线中的1条字线和所述多条位线中的1条位线之间，选择单元插在所述选择字线和所述选择位线之间，所述读出电路基于与通过在所述选择字线和所述选择位线之间施加电压而在所述选择位线中流过的检测电流相对应的检测信号，通过将所述检测信号和所述第1参照信号的差相对应的第1差分信号、与所述检测信号和所述第2参照信号的差相对应的第2差分信号进行比较，判别所述选择单元的存储数据。