[发明专利]有源式场发射基板与有源式场发射显示器无效
| 申请号： | 200810002648.7 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101488430A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 杨宗翰;林彦榕 | 申请（专利权）人： | 大同股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源式场发射基板和有源式场发射显示器。该有源式场发射基板包括一个薄膜晶体管基板以及一个场发射元件基板。前述薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管至少包括源极、漏极与栅极。而场发射元件基板是位于薄膜晶体管基板上且具有多个导电沟道以及多个场发射源，其中每一导电沟道贯穿场发射元件基板并分别与每一场发射源电性相连。而且，前述场发射元件基板的每一导电沟道分别与薄膜晶体管基板的每一薄膜晶体管中的源极或漏极电性导通。由于上述有源式场发射基板是由两个利用分开的工艺得到的基板组合而成，所以可简化流程，提升成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 发射 显示器 | ||
【主权项】：
1. 一种有源式场发射基板，包括：薄膜晶体管基板，具有多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管至少包括源极、漏极与栅极；以及场发射元件基板，位于该薄膜晶体管基板上，该场发射元件基板具有多个导电沟道以及多个场发射源，其中每一导电沟道贯穿该场发射元件基板并分别与每一场发射源电性相连，且该场发射元件基板的每一导电沟道分别与该薄膜晶体管基板的每一薄膜晶体管中的该源极与该漏极其中之一电性导通。
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