[发明专利]纳米壁太阳能电池和光电子器件有效
| 申请号： | 200810002972.9 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101221993A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | B·A·科里瓦尔;L·察卡拉科斯;J·鲍尔奇 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包含衬底(102)和设置在衬底(102)表面上的纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。该器件(100)还包含共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)。一层或多层共形层是光生伏打器件的至少一部分。制造光生伏打器件(100)的方法包括在衬底(102)表面上产生纳米壁(101)结构和在纳米壁(101)结构上共形地沉积至少一层(103)，以形成至少一个光活性结。太阳能电池板包含至少一个基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。太阳能电池板把这些器件(100)与其周围的大气环境隔开并能产生电力。光电子器件还可加进基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 太阳能电池 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.光生伏打器件(100)，其包含：有至少2个表面的衬底(102)；设置在衬底(102)至少2个表面中至少之一上的纳米壁(101)结构，其中纳米壁(101)结构包含连接壁结构的网络；和共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)，其中该至少一层(103)是光活性结的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
