[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810003170.X | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101266977A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 平濑顺司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/12;H01L21/8234;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供即便是随着精细化的发展栅极长度的变化进一步增大的情况下，能够实现安定搭载了高驱动力MISFET的高性能装置的全硅化物化(FUSI)技术。本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中相对于具有第一栅极长度(相对短的栅极长度)的第一栅电极(105A)全硅化物化(FUSI)而言，具有第二栅极长度(相对长的栅极长度)的第二栅电极(105B)没有全硅化物化(FUSI)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：第一栅电极，隔着第一栅极绝缘膜形成在衬底的第一活性区域上，第二栅电极，隔着第二栅极绝缘膜形成在上述衬底的第二活性区域上；上述第一栅电极的栅极长度比上述第二栅电极的栅极长度短，上述第一栅电极全硅化物化了，上述第二栅电极中至少与上述第二栅极绝缘膜接触的部分没有硅化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
