[发明专利]静电放电防护架构、元件及元件的制作方法有效
| 申请号： | 200810003207.9 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101221943A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;邓至刚;孙文堂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一静电放电防护元件，一静电放电防护架构，以及一种静电放电防护元件的制作方法。静电放电防护元件包含至少四个离子掺杂区，其中相邻的两个掺杂区类型不同。静电放电防护架构包含一静电放电汇流排；多个第一静电放电防护元件，连接一显示器的薄膜晶体管的栅极与该静电放电汇流排；多个第二静电放电防护元件，连接这些薄膜晶体管的源/漏极与该静电放电汇流排；以及多个第三静电放电防护元件，连接显示器之一驱动电路的多个输入输出端与该静电放电汇流排。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 架构 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电防护元件，用以在包含一薄膜像素阵列的液晶显示器中提供静电防护，包含：一玻璃基板(glass substrate)；一半导体基板，形成于该玻璃基板上；一第一离子掺杂区；一第二离子掺杂区；一第三离子掺杂区；以及一第四离子掺杂区；其中该第一、第二、第三与第四离子掺杂区以串联形式形成于该半导体基板中，该第一、第二、第三与第四离子掺杂区分别可为P型离子掺杂、N型离子掺杂与本质(intrinsic)区域其中之一，且相邻的两个掺杂区类型不同。
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