[发明专利]形成深坑区域的方法及其在制作光学记录介质中的应用无效
| 申请号： | 200810003243.5 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101241724A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 彻尔斯托弗·马丁内斯;阿兰·法盖克斯 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | G11B7/26 | 分类号： | G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成至少一坑的方法及其在制作光学记录介质中的应用。从一叠层(2)形成坑(1)，该叠层(2)至少包括：第一层(3)，由能够改变物理状态的材料形成；以及第二层(4)，由与形成第一层(3)的材料相同但处于不同物理状态的材料形成。处理第一层(3)的一区域，以使所述区域从其初始物理状态转变为与第二层(4)的物理状态相对应的物理状态。随后执行选择性蚀刻步骤，以除去第一层(3)的所述区域以及最初由第一层(3)的经过处理的区域覆盖的第二层(4)的区域。优选地，所述材料为相变材料。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 深坑 区域 方法 及其 制作 光学 记录 介质 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成至少一坑(1)的方法，包括下述连续步骤：局域化处理由能够改变物理状态的材料形成的第一层(3)的至少一区域(3a)，以使所述区域(3a)从第一物理状态转变为第二物理状态；以及通过所述第一层(3)的自由表面来选择性蚀刻所述区域(3a)，其特征在于包括：在局域化处理步骤之前，形成由所述第一层和第二层(4)形成的叠层(2)的步骤，所述第二层(4)是由处于其第二物理状态的所述材料形成；以及继续所述选择性蚀刻步骤，直至最初由所述第一层(3)的经过处理的区域(3a)覆盖的所述第二层(4)的区域(4b)被除去。
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