[发明专利]具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法，包含有提供表面形成有不同导电型的二晶体管与覆盖该晶体管的介电层的基底，平坦化该介电层，暴露出该晶体管的栅极导电层，于该基底上形成暴露其中导电型晶体管的图案化阻挡层，进行第一蚀刻工艺移除该导电型晶体管的部分栅极，重新形成金属栅极，移除该图案化阻挡层，进行第二蚀刻工艺移除另一导电型晶体管的部分栅极，并重新形成金属栅极。

主权项

1. 具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法，包含有：提供基底，该基底表面形成有第一导电型晶体管、第二导电型晶体管、以及覆盖该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管的介电层；平坦化该介电层至分别暴露出该第一导电型晶体管的第一栅极与该第二导电型晶体管的第二栅极的栅极导电层；于该基底上形成图案化阻挡层，覆盖该第二导电型晶体管并暴露该第一导电型晶体管；进行第一蚀刻工艺，用以移除该第一栅极的该栅极导电层，而形成第一开口；于该第一开口内依序形成第一金属层与第二金属层；移除覆盖该第二导电型晶体管的该图案化阻挡层；进行第二蚀刻工艺，用以移除该第一栅极的该栅极导电层，而形成第二开口；以及于该第二开口内依序形成第三金属层与第四金属层。