[发明专利]电力半导体装置

摘要

本发明提供了一种电力半导体装置，其包括在边缘终止结构中采用厚金属膜的场板，并且即使在大侧面蚀刻量或蚀刻量变化的情况下，也能允许边缘终止结构的宽度得以减小，展现优良的长期正向阻断电压能力可靠性，并允许使正向阻断电压能力特性的变化最小化。边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。

主权项

1.一种电力半导体装置，包括：第一导电型的半导体基板表面层中的另一导电型的区域；具有接触所述另一导电型的区域的金属电极的活性区域；以及围绕所述活性区域的边缘终止结构，所述边缘终止结构具有多个环状其它导电型保护环，覆盖所述边缘终止结构的表面的第一绝缘膜，以及环状场板，每个环状场板经由位于所述多个环状其它导电型保护环的顶上的所述第一绝缘膜而被设置，具中所述环状场板包括：包括导电薄膜的第一场板和包括金属膜的第二场板；并且所述多个环状其它导电型保护环包括：第一类环状其它导电型保护环，所述第一场板经由所述第一绝缘膜设置在所述第一类环状其它导电型保护环上；以及第二类环状其它导电型保护环，包括所述第一场板和所述第二场板的双层场板设置在所述第二类环状其它导电型保护环上，所述第二场板经由第二绝缘膜设置在所述第一场板的顶上。