[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200810003563.0 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101252079A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统(10)，具有对晶片(W)实施化学反应处理的第二处理模块(28)，第二处理模块(28)具有收容晶片(W)的处理容器(33)，和通过与处理容器(33)的上部接合而构成晶片(W)的处理室(腔室)的上盖(35)，在上盖(35)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(40)，该气体导入孔(40)，一端(40a)以与GDP36连接的方式形成，另一端(40b)以与气体导入孔(42)的另一端(42b)连接的方式形成，在处理容器(33)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(42)，该气体导入孔(42)，一端(42a)以与从氟化氢气体的供给源导入氟化氢气体的气体导入管(43)连接的方式形成，另一端(42b)以与气体导入孔(40)的另一端(40b)连接的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其具备：收容基板的处理容器，和通过与所述处理容器的接合而构成所述基板处理室的上盖，其特征在于，所述上盖具备向所述处理室内供给处理气体的气体供给部，同时具备在内部形成的向该气体供给部导入所述处理气体的第一气体导入孔，该第一气体导入孔的一端与所述气体供给部连接，所述处理容器具有在内部形成的从该气体供给源导入该处理气体的第二气体导入孔，该第二气体导入孔的一端与所述处理气体的供给源连接，当所述上盖与所述处理容器接合时，所述第一气体导入孔的另一端与所述第二气体导入孔的另一端接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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