[发明专利]表面发射半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810003662.9 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101304157A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 铃木贞一;长尾太介 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/183;H01S5/00;H04B10/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了表面发射半导体激光器及其制造方法。该表面发射半导体激光器包括：基板，在所述基板上形成的下反射镜，在所述下反射镜上形成的有源层，在所述有源层上形成的上反射镜，在所述下反射镜和所述上反射镜之间形成的光学模式控制层，以及在所述下反射镜和所述上反射镜之间形成的电流限制层。所述有源层发射光。所述上反射镜在所述下反射镜和所述上反射镜之间形成谐振器。在所述光学模式控制层中，形成用于选择性吸收或反射在有源层中发射的光的开口。所述光学模式控制层在光学上控制激光的模式。所述电流限制层限制在驱动期间所施加的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种表面发射半导体激光器，所述表面发射半导体激光器包括：基板；下反射镜，其形成在所述基板上；有源层，其形成在所述下反射镜上并发射光；上反射镜，其形成在所述有源层上，在所述上反射镜与所述下反射镜之间形成谐振器；光学模式控制层，其形成在所述下反射镜和所述上反射镜之间，在所述光学模式控制层中形成用于选择性吸收或反射掉在所述有源层中发射的光的开口，所述光学模式控制层在光学上控制激光的模式；以及电流限制层，其形成在所述下反射镜和所述上反射镜之间，限制在驱动期间所施加的电流。
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