[发明专利]邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件有效
| 申请号： | 200810003951.9 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101236917A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 许履尘;D·C·埃德尔斯坦;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件。公开了接触形成方法以及相关的半导体器件。一种方法包括在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；以及使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。在所述结构的所述侧壁之上的较厚的衬里防止了短路，并允许至少保持在一个或多个所述衬里中的任何的本征应力。 | ||
| 搜索关键词： | 邻近 衬底 结构 形成 接触 方法 以及 相关 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种邻近衬底上的结构形成接触的方法，所述方法包括以下步骤：在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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