[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810004011.1 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101383481A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/02;H01S5/028;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造氮化物半导体激光元件的方法，所述方法包括:在衬底上形成氮化物半导体层的氮化物半导体层形成步骤；解理在其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底，从而形成两个相互平行的谐振器端面的解理步骤；以及在所述谐振器端面上形成涂覆膜的涂覆膜形成步骤，其中所述方法还包括:在所述涂覆膜形成步骤之前，将所述谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的第一等离子体气氛当中的第一暴露步骤；以及在所述第一暴露步骤之前，氧化靶的氧化步骤，所述靶是形成所述涂覆膜的材料。
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