[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明的课题为如下：在制造具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的半导体装置的情况下，减少TFT的不均匀。此外，掩模数量的缩减、制造工序数量的减少、以及制造工序期间的缩短。本发明是一种半导体装置的制造方法，其中在形成第一薄膜晶体管的岛状半导体层之后，形成第二薄膜晶体管的岛状半导体层，并且当形成所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层之际，将与所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层接触的栅绝缘膜兼用作所述第一薄膜晶体管的岛状半导体层的保护膜(蚀刻停止膜)。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一栅电极、形成在所述第一栅电极上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的第一无掺杂半导体层、以及形成在所述第一无掺杂半导体层上的第一掺杂半导体层；以及第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第二栅电极、形成在所述第二栅电极上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的第二无掺杂半导体层、以及形成在所述第二无掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，其中，所述第一薄膜晶体管具有与所述第二薄膜晶体管相反的导电性，并且，所述第一栅绝缘膜的膜厚度和所述第二栅绝缘膜的膜厚度不同。