[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810004615.6 申请日: 2008-01-21
公开(公告)号: CN101335224A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 陈承先;张国钦;卢思维;曹佩华;王忠裕;曾汉良;李明机 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/498
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中,首先提供半导体芯片,其上露出多个导电层。提供第一基板,其具有第一表面与第二表面,第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合,使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去除部分的第一基板,以露出介层插塞的另一端。于介层插塞露出的另一端形成凸块底层金属,并于凸块底层金属上形成焊料凸块。提供第二基板,其具有第一表面与第二表面,将焊料凸块设置在第二基板的第一表面。本发明可使焊料凸块较为坚固,大大减少焊料凸块破裂的机会。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装结构的制造方法,包括下列步骤:提供半导体芯片,其上露出多个导电层;提供第一基板,其具有第一表面与第二表面,所述第一表面露出多个介层插塞;将所述半导体芯片与所述第一基板接合,其中所述多个导电层对准并接触所述多个介层插塞;从所述第二表面去除部分所述第一基板,以露出所述多个介层插塞的另一端;于所述多个介层插塞露出的另一端形成多个凸块底层金属;于所述多个凸块底层金属上形成多个焊料凸块;以及提供第二基板,其具有第一表面与第二表面,并将所述多个焊料凸块设置在所述第二基板的第一表面。
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