[发明专利]压变电容装置有效
| 申请号： | 200810004640.4 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101494814A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 简欣堂;李炯毅;刘娉婷 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R19/04;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜压变电容装置，包括具有支持结构的薄膜与具有悬臂结构的背板。在薄膜与背板之间至少具有一突起结构，而背板则具有挖空的结构。此薄膜与背板相互平行，而挖空的结构具有至少一悬臂结构。此突起结构与悬臂结构形成支撑体，当一压力传输至薄膜时，突起结构会与悬臂结构接触，而因突起结构的下压而产生形变，薄膜因此而有位移的变形量，电容的电场分布于薄膜与背板四周之间。此突起结构可形成于上述薄膜表面或是悬臂结构的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 装置 | ||
【主权项】：
1.一种压变电容装置，其特征是包含：薄膜；背板，具有挖空的结构，该薄膜与该背板相互平行，该挖空的结构具有至少一悬臂结构；以及至少一突起结构，位于该薄膜与该背板之间，其中，该突起结构与该悬臂结构形成支撑体，当压力传输至薄膜时，该突起结构会与该悬臂结构接触，而因该突起结构的下压而产生形变，该薄膜因此而有位移的变形量，电容的电场分布于该薄膜与该背板四周之间。
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