[发明专利]发光元件及其制造方法以及发光元件组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810004649.5 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101247023A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 增井勇志;荒木田孝博;幸田伦太郎;大木智之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 以及 组件 | ||
【主权项】：
1、一种制造发光元件的方法，包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层，有源层，和具有第二导电类型的第二化合物半导体层；(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分；以及(C)通过将部分该第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在该第二化合物半导体层中制备由该绝缘区域围绕的电流限制区域。
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