[发明专利]基底位置检测方法、基底处理方法和基底处理装置无效
| 申请号： | 200810004753.4 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101246833A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 成乐范 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/42;G01B21/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了基底位置检测方法、基底处理方法和基底处理装置，具体披露了一种对放置在支撑板上的基底的位置进行检测的方法，其中，通过测量支撑板的温度来检测放置在支撑板上的基底的位置。将基底放置在支撑板上之后，测量支撑板的温度并且将它与参考温度进行比较。如果测量温度处于参考温度范围之内，则判定基底是放置在支撑板上的适当位置处。另一方面，如果测量温度处于参考温度范围之外，则判定基底不在支撑板上的适当位置处。当基底不是放置在支撑板上的适当位置处时，就产生警报，或者中止对基底的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 位置 检测 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对放置在支撑板上的基底的位置进行检测的方法，包括：测量所述支撑板的温度；并且将所述测量温度与预定参考温度进行比较，从而检测基底的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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